Přehled produktů

Stroje pro reaktivní iontové leptání (RIE) jsou vysoce výkonné -nástroje pro suché leptání postavené na technologii vysokofrekvenčního výboje. Jejich hlavní trik? Spárování fyzického bombardování s chemickými reakcemi za účelem precizního odstranění cílových materiálů-bez starostí, pouze přesnosti.

Dokonale se hodí pro celý pracovní postup v polovodičovém průmyslu, od výzkumu a vývoje až po plnohodnotnou-výrobu. Křemík, složené polovodiče, všechny druhy dielektrických materiálů,-jak si řeknete substrát, dokážou jej přesně vyleptat. A jsou jako doma v klíčových procesech-špičkových technologií: integrované obvody, optoelektronická zařízení, komunikační zařízení 5G, dokonce i kvantové čipy.

Přidejte digitální inteligentní ovládání a automatické konstantní nastavení tlaku a pokaždé získáte skálo{0}}pevnou opakovatelnost procesu a konzistenci leptání. Ať už provádíte malé-sériové laboratorní testy nebo chrlíte produkty v továrně, tyto stroje se bez problémů přizpůsobí. Potřebujete extra výkon? Zvolte nakládací komoru LOAD LOCK. Snižuje atmosférickou kontaminaci, urychluje nakládání a udržuje vakuum v komoře-to vše pro vytvoření čistého a stabilního prostředí pro vysoce přesné leptání-. Sečteno a podtrženo: pomáhá zákazníkům vyrovnat technické zlomy od výzkumu a vývoje zařízení až po sériovou výrobu.

Aplikace

Stroje RIE září precizním leptáním a přizpůsobivostí více{0}}materiálům-jsou vhodné-pro výzkum, vývoj a výrobu polovodičů. Zde je místo, kde skutečně dodávají:

1. Výroba integrovaných obvodů (IC): Skvělé pro logické čipy a paměti (včetně DRAM, NAND Flash). Připojuje mikro-k-nanoměřítku leptání na křemíkové substráty a polysilikonová hradla, čímž udržuje obvodové struktury a elektrický výkon stabilní.
2. Výroba optoelektronických zařízení: Hodí se přímo do výroby LED a VCSEL. Leptá safír, materiály na bázi GaN-a dielektrické vrstvy SiO₂ za účelem vytvoření oblastí vyzařujících světlo-a vlnovodných struktur, čímž se zvyšuje účinnost fotoelektrické konverze.
3. 5G Communication Device Processing: Ideální pro 5G RF zařízení (filtry, výkonové zesilovače). Leptá substráty GaAs, GaN a SiC za účelem vytvoření vysokofrekvenčních mikro-nano struktur, což zajišťuje, že signály zůstanou stabilní i za podmínek vysoké-frekvence a vysokého-příkonu.
4. Pokročilý výzkum polovodičů: Podporuje leptání s nízkým-poškozením pro kvantové čipy (supravodivé, typy kvantových teček) a mikro-nano zpracování špičkových- materiálů, jako je karbid křemíku a 2D materiály,-ideální pro výzkum procesů výzkumných institucí.
5. MEMS a senzorové pole: Manipuluje s MEMS zařízeními (akcelerometry, mikrozrcadla) a polovodičovými senzory. Leptá křemík a dielektrika-na křemíku za vzniku 3D mikrostruktur, což zajišťuje solidní mechanický výkon a citlivost detekce.

Výhody

1. Nejvyšší-přesnost:

Fyzikální a chemické leptání se spojí s přesností od mikro-do{1}}nanoměřítek-na stejné úrovni, jakou vyžaduje mikro-nano výroba.

2. Široká materiálová kompatibilita:

Pěkně si hraje s křemíkem, složenými polovodiči, dielektrikem a dalšími a pokrývá potřeby zpracování ve všech možných oblastech.

3. Vysoká stabilita:

Může se pochlubit digitální regulací teploty a konstantní regulací tlaku, udržuje procesy konzistentní a omezuje chaotické výkyvy.

4. Nízké materiální škody:

Udržuje poškození substrátu a kontaminaci na minimu, takže původní vlastnosti vašich materiálů zůstanou nedotčeny.

5. Velká flexibilita:

Můžete se rozhodnout pro komoru LOAD LOCK a také podporujeme přizpůsobená nastavení, aby vyhovovala jakémukoli případu použití, který máte.

Parametry

Položka	Specifické indikátory
Použitelná velikost oplatky	8 palců a méně
Rychlost leptání	0,1-4μm/min (konkrétní hodnota závisí na typu materiál k leptání a skutečné parametry procesu)
Jednotnost leptání	±5 % (na základě 6palcového plátku, metoda výpočtu: (maximální hodnota{0}} minimální hodnota)/(2xprůměrná hodnota))
Způsob chlazení fáze substrátu	Vodní chlazení
Kontrolní metoda	Plně digitální automatické ovládání
Ovládání tlaku	Automatické konstantní nastavení tlaku (zajišťuje proces stabilita)
Volitelná konfigurace	LOAD LOCK nakládací komora (může snížit atmosférický tlak znečištění, zlepšit účinnost nakládání a komoru kapacita retence vakua)