Váš profesionální dodavatel vybavení pro měření a analýzu
Nice{0}}tech je profesionální poskytovatel polovodičových zařízení s vyhrazenou továrnou a zkušeným technickým týmem. Naše operace jsou podporovány několika výrobními linkami vybavenými standardizovaným řízením procesů a klíčovým vybavením souvisejícím s polovodičovými-polovodiči, aby byla zajištěna stabilní kvalita a dodávky. Za společností stojí zkušený tým inženýrů, techniků a projektových specialistů se solidními průmyslovými zkušenostmi, což umožňuje efektivní koordinaci mezi dodavateli zařízení a koncovými uživateli.
-
![Systém VPD]()
Systém VPDSystém VPD společnosti Nice-Tech představuje základní inspekční nástroj pro kontrolu kontaminace polovodičových stopových kovů – vytvořený speciálně pro zvýšení citlivosti detekce pro pokročilou výrobu integrovaných obvodů.Zobrazit více
proč si vybrat nás
Dodávka řešení na míru
Náš zkušený tým analyzuje specifické potřeby klientů, aby odpovídal nejvhodnějšímu polovodičovému vybavení a nabídl přizpůsobená řešení pro různé scénáře výroby a výzkumu a vývoje.
Komplexní technická podpora
Poskytujeme -technickou pomoc v celém cyklu, od uvedení zařízení do provozu po údržbu, včetně -řešení problémů na místě a-online konzultací v reálném čase, čímž snižujeme provozní potíže.
Podpora pro pokročilé procesy
Neustále investujeme do oborových poznatků a přizpůsobujeme se{0}}špičkovým technologickým trendům, nabízíme vysoce{1}}řešení přesných zařízení a upgradujeme služby, abychom splnili potřeby špičkové výroby čipů-.
Výhody služby
Nabídněte online podporu 1v1 pro provoz zařízení, úpravu parametrů a optimalizaci procesů a pohotově odpovídejte na vaše dotazy.
Systém VPD (Vapor Phase Decomposition) je základní detekční nástroj pro kontrolu kontaminace stopovými kovy při výrobě polovodičů. Využívá kombinaci chemického rozkladu v parní fázi a vysokocitlivé hmotnostní spektrometrie k dosažení přesné detekce a monitorování ultra-stopové kovové kontaminace na površích plátků.
|
Kategorie |
VPD systém |
|
Kompatibilita oplatek |
8-palcový, 12-palcový (nativní); 6palcový (volitelně, prostřednictvím vyhrazených zásobníků) |
|
Limit detekce (s ICP-MS/MS) |
105-108 atomů/cm2; pokrývá prvky 7Li až 238U |
|
Procesní pracovní postup |
Rozklad v parní fázi → Přesné skenování kapek → Shromažďování kontaminantů |
|
Úplná-doba zpracování waferu |
Méně než nebo rovno 60 sekundám (radiální rychlá-skenovací tryska) |
|
Režimy vzorkování |
Plný-wafer, zonální, prstencový; podporuje sběr hran/úkosů |
|
Rozkladné médium |
Vysoko-čisté HF páry (regulovatelná koncentrace a průtok) |
|
Kompatibilní analytické nástroje |
ICP-MS, ICP-MS/MS, TXRF |
|
Automatizační protokol |
Podporuje SECS-GEM; integrovatelné do automatizovaných výrobních linek polovodičů |
|
Soulad s průmyslem |
V souladu se standardy SEMI |
|
Použitelné typy waferů |
Holé destičky, vzorované destičky, destičky se silnou vrstvou oxidu, destičky z nového materiálu |
Ultra-nízký limit detekce:
Schopnost detekovat koncentrace kovové kontaminace tak nízké, jako je 1 × 10⁸ atomů/cm² (ekvivalentní přesné lokalizaci jediného zrnka písku ve standardním bazénu), s citlivostí o 1-2 řády vyšší než tradiční metody (jako je TXRF).
Komplexní základní pokrytí:
Podporuje současnou analýzu více než 70 prvků od lithia (Li) po uran (U), které pokrývají klíčové kontaminanty v oblasti polovodičového průmyslu.
Ne{0}}destruktivní testování:
Zabraňuje kontaminaci způsobené mechanickým broušením pomocí chemického leptání par a zajišťuje přesnost výsledků testu.
Flexibilní vzorkování:
Podporuje vzorované metody vzorkování, jako je úplné skenování, regionální skenování a prstencové skenování, které se přizpůsobují různým procesním požadavkům.
Silná ochrana-rušení:
Technologie kolizní reakční buňky (CRC) ICP-MS/MS eliminuje interferenci hmotnostní spektrometrie a přesně rozlišuje mezi izotopy se stejným hmotnostním číslem (např. ⁵²Cr a ⁴⁰Ar¹²C).
Aplikace systému VPD
Kontrola surovin:
Testování obsahu kovových nečistot v křemíkových waferech při dodání, aby se zajistila čistota základních materiálů.
Přední-sledování procesu:
Monitorování úrovně kontaminace kovu na povrchu plátku po procesech, jako je oxidace, difúze a leptání, aby se zabránilo šíření kontaminace.
Analýza iontové implantace:
Vyhodnocení kovových nečistot vnesených během procesu iontové implantace a optimalizace rovnoměrnosti dopingu.
Testování hotového výrobku:
Provádění analýzy kontaminace kovů na konečném produktu pro zajištění výtěžnosti a spolehlivosti.
Technologie systému VPD
Rozklad-parní fáze:
Destička se umístí do prostředí HF páry, aby se rozložila povrchová oxidová vrstva (jako je SiO₂), čímž se odkryly a uložily kovové kontaminanty (jako je Fe, Cu, Na atd.) na povrch plátku.
Skenování kapek:
Malý objem skenovací kapaliny (jako je zředěný roztok kyseliny) se valí po povrchu plátku, aby se shromáždily rozpuštěné kovové kontaminanty a vytvořil se obohacený roztok.
Analýza hmotnostní spektrometrií:
Obohacený roztok se přenese do ICP-MS (Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometer) nebo ICP-MS/MS (Tandem Mass Spectrometer) pro kvantitativní analýzu ultra-stopových kovů.
Řízení provozního prostředí systému VPD
Požadavky na třídu čistých prostor:Systém VPD-ICP-MS vyžaduje extrémně čisté prostředí, které obvykle funguje v ultračistém prostředí třídy 100 nebo lokalizované třídy 10. Pokud je čistota prostředí nedostatečná (např. čisté prostory třídy 1000 nebo třídy 10000), výsledky testu jsou snadno ovlivněny částicemi lehkých kovů, jako je sodík, hořčík a vápník ve vzduchu, což vede ke zvýšeným hodnotám pozadí a zhoršeným detekčním limitům.
Řízení teploty a vlhkosti:Provozní prostředí musí udržovat konstantní teplotu (22 ± 2 stupně) a vlhkost (45 % ± 5 % relativní vlhkosti), aby se zabránilo adsorpci vlhkosti nebo částic na povrchu plátku, což by ovlivňovalo účinnost rozkladu plynné-fáze. Například vysoká vlhkost může vést k nerovnoměrné kondenzaci par HF, což má za následek neúplný rozklad oxidové vrstvy.
Ukázka specifikací před{0}}úpravy systému VPD
Čištění a předběžná{0}}úprava plátků:
Plátky musí projít standardními čisticími procesy SC1 (čpavek + peroxid vodíku + ultračistá voda) a SC2 (kyselina chlorovodíková + peroxid vodíku + ultračistá voda), aby se odstranily povrchové organické látky a kovové částice.
Po vyčištění je třeba destičky třikrát opláchnout ultračistou vodou, ihned vysušit pomocí dusíkové pistole a poté přenést do komory VPD, aby se zabránilo sekundární kontaminaci.
Klíčové body provozu komory VPD:
Doba expozice HF výparům:Tu je třeba upravit podle tloušťky vrstvy oxidu plátku (např. vrstva přirozeného oxidu je přibližně 0,25 nm, vrstva tepelného oxidu může dosáhnout 100 nm), obvykle 5-15 minut. Nedostatečný čas povede k neúplnému rozkladu, zatímco příliš dlouhý čas může způsobit korozi křemíkového substrátu.
Výběr řešení pro skenování:Doporučuje se 1% zředěný roztok kyseliny dusičné kvůli jeho vysoké rychlosti rozpouštění kovu a nízké hodnotě pozadí. Aby se zabránilo interferenci, je třeba se vyvarovat činidel obsahujících sodík a draslík.
FAQ
Jako jeden z nejprofesionálnějších výrobců a dodavatelů měřicích a analytických zařízení v Číně se vyznačujeme kvalitními produkty a dobrou cenou. Ujišťujeme vás, že si z naší továrny zakoupíte přizpůsobené měřicí a analytické zařízení. Pro cenovou nabídku a ceník nás nyní kontaktujte.
