Přehled produktů
Zařízení naší společnosti pro vysokoteplotní oxidaci RTP je základním tepelným zařízením ve velko-výrobě polovodičů. Je speciálně navržen pro vytváření čistých, hustých SiO₂ filmů na křemíkových substrátech, vhodných pro výrobu CMOS, IGBT a MEMS zařízení.
12-palcový model vysokoteplotní oxidace RTP zařízení se obecně používá pro pokročilou hromadnou výrobu velkých plátků, ale 8palcový model je kompatibilní s řadou oxidačních metod a plně splňuje běžné potřeby hromadné výroby. To je základní rozdíl mezi těmito dvěma zařízeními.
Chcete-li najít správný stroj pro vaše potřeby, kontaktujte nás.
Aplikační průmysl
Průmysl výroby polovodičů (integrované obvody, diskrétní zařízení, optoelektronická zařízení atd.)
Nový průmysl energetické elektroniky (související s výkonovými polovodiči)
Špičkový-odvětví výroby elektronických součástek
Oblast výzkumu polovodičů a pilotní výroby (univerzity, výzkumné instituce)
Aplikační produkty
- Základní polovodičová zařízení: čipy CMOS, napájecí zařízení IGBT, mikroelektromechanické systémy MEMS, RF zařízení atd.
- Produkty související s koncovým-uživatelem: základní součásti pro komunikační zařízení 5G, automobilové elektronické součástky, čipy spotřební elektroniky, průmyslové řídicí čipy atd.
- Výzkumná zařízení: Vzorky pro ověření procesu výroby polovodičů, prototypy-výzkumu a vývoje okrajových zařízení atd.
Výhody
Přesná regulace teploty (±0,5 stupně), stabilní proces;
01
Čistá komora, spolehlivá kvalita membrány;
02
Vysoce{0}}efektivní sériová výroba, flexibilní přizpůsobení;
03
Flexibilní přizpůsobení velikosti/procesu pro pokrytí různých potřeb hromadné výroby.
04
Parametry
|
Položka |
12palcový model |
8palcové modely |
|
velikost oplatky |
12 palců |
8 palců |
|
Zatížení tabletu |
Větší nebo rovno 125 kusů/loď |
Přizpůsobeno potřebám 8palcové sériové výroby |
|
Teplotní rozsah |
- |
600-1150 stupňů |
|
Přesnost regulace teploty |
±0,5 stupně |
Menší nebo rovno ±0,5 stupně |
|
Délka zóny konstantní teploty |
Větší nebo rovna 850 mm |
300-860 mm |
|
Rovnoměrnost tloušťky filmu |
WIW/WTW/RTR Menší nebo rovno ±2 % |
WIW Menší nebo rovno ±2 %; WTW Menší nebo rovno ±2 % |
|
Aplikovatelné procesy |
Příprava oxidového filmu na křemíkovém substrátu |
Suchý kyslík (Si), mokrý kyslík (rychlé odpařování/vodní lázeň/zapalování HO) |
FAQ
Jaký je hlavní účel tohoto zařízení pro vysokoteplotní oxidaci RTP-?
K vytvoření čistého a hustého SiO₂ filmu na křemíkových substrátech, vhodného pro zpracování klíčových struktur v polovodičových součástkách.
Jaké jsou hlavní rozdíly mezi 12palcovým a 8palcovým modelem?
12- palcový model je primárně určen pro pokročilou hromadnou výrobu velkých waferů, zatímco 8palcový model je kompatibilní s různými oxidačními procesy, které pokrývají běžné potřeby hromadné výroby.
Jaká je přesnost a rozsah regulace teploty?
Ovládání teploty je přesné s přesností ±0,5 stupně; 8palcový model má teplotní rozsah 600-1150 stupňů, což odpovídá potřebám běžných oxidačních procesů.
Jaká je kapacita jedno{0}}dávkového zpracování?
12-palcový model pojme více než 125 waferů na dávku, zatímco 8palcový model je vhodný pro hromadnou výrobu s účinností, která drží krok s požadavky ve velkém měřítku.
Jaká polovodičová zařízení jsou vhodná?
Lze použít CMOS, IGBT, MEMS atd., které slouží jako izolační vrstvy, vyrovnávací vrstvy a další klíčové struktury.
Je zaručena čistota komory?
Profesionální materiály a konstrukční provedení zajišťují čistotu přípravy fólie bez nečistot.
Populární Tagy: zařízení pro vysokoteplotní oxidaci rtp, Čína, výrobci, dodavatelé zařízení pro vysokoteplotní-oxidaci rtp
