Přehled produktů

6-palcový leptací nástroj CCP pro malou-až{6}}střední produkci a výzkum a vývoj. Pomocí technologie CCP jeho jediná komora generuje plazmu k leptání materiálů; těkavé vedlejší produkty se odstraní vakuem. Pracuje s menšími nebo rovnými 6-wafery a nabízí flexibilní, nákladově{8}}efektivní řešení pro mikrostruktury s nízkou- až střední přesností – ideální pro průmysl i laboratoře.

Výhody

Super prostorová-efektivita

Jeho jednokomorová -konstrukce zachovává malé rozměry-ideální pro stísněné výrobní linky nebo laboratoře a také sníží vaše náklady na nastavení.

Nenáročné na rozpočet

Vylepšili jsme design a použili jsme osvědčené-a{1}}osvědčené komponenty, takže poskytuje stabilní výkon, aniž byste museli vydělat peníze.

Super všestranný

Zvládá leptání Si, SiO₂, SiNₓ, Au, Ta-jak si jen vzpomenete. Bez ohledu na to, na čem pracujete, je to pro vás vše.

Zaměření procesu na míru

Je skvělý pro odstraňování povlaku fotorezistu a dielektrické leptání s přesným ovládáním parametrů, aby byly výsledky pokaždé konzistentní.

Aplikace

01/

Výroba mikro-nano zařízení:Tvaruje mikrostruktury pro malé polovodičové součástky-ideální pro součásti, které vyžadují nízkou-až{2}}střední přesnost.

02/

Descum a dielektrické leptání:Odstraňuje zbytky fotorezistu a leptá dielektrické materiály, takže povrchy vašeho zařízení zůstanou čisté a neporušené.

03/

Výzkum a vývoj a prototypování:Laboratoře a podnikové výzkumné a vývojové týmy to milují jako{0}}nástroj-skvělý pro testování nových materiálů, nových struktur a vytváření prototypů.

04/

Malé-dávky:Ideální pro výrobu vlastních senzorů nebo mikroelektronických modulů v malých množstvích-vyvažuje efektivitu a náklady jako profesionál.

Parametry

Kategorie	Podrobnosti
Kompatibilita oplatek	Max. 6-palcové (150 mm) destičky; kompatibilní se 4palcovými/2palcovými wafery prostřednictvím adaptivních nosičů
Technologie plazmových zdrojů	Kapacitně vázaná plazma (CCP); jednofrekvenční vysokofrekvenční napájecí zdroj (13,56 MHz)
Podporované leptací materiály	Křemík (Si), oxid křemičitý (SiO₂), nitrid křemíku (SiNₓ), zlato (Au), tantal (Ta), fotorezist
Výkon klíčového procesu	- Rovnoměrnost leptání: Méně než nebo rovna 7 % (v rámci-waferu, 6- palců)- Selektivita leptání (Si vs SiO₂): Větší než nebo rovna 20:1- Účinnost odsávání fotorezistu: Odstranění zbytků větší nebo rovné 95 %
Rozsah RF výkonu	0-500W (nastavitelné v krocích po 1W); stabilita výkonu: ±1%
Konfigurace komory	Jednoduchá leptací komora; dutina z nerezové oceli s keramickým povlakem; integrovaný vakuový výfukový systém
Výkon vakua	Základní tlak: menší nebo roven 5 × 10⁻⁵ Pa; rychlost čerpání: větší nebo rovna 300 l/s
Systém řízení plynu	4kanálový regulátor hmotnostního průtoku (MFC); rozsah průtoku: 0-200 sccm na kanál; podporované plyny: SF₆, O₂, CF4, Ar, N2
Regulace teploty	Teplota sklíčidla: 20-80 stupňů (nastavitelná); teplotní stabilita: ±0,5 stupně
Výroba a spolehlivost	- Doba dávkového zpracování: 3-10 minut na wafer (liší se podle procesu)- Střední doba mezi poruchami (MTBF): Větší nebo rovna 250 hodinám – Půdorys: Menší nebo rovna 1,2 m × 0,8 m (D × Š)
Ovládací rozhraní	HMI s dotykovou obrazovkou; řídicí systém PLC; podpora ukládání receptur procesu (až 100 sad)