Přehled produktů
Tato vysokoteplotní oxidační pec na SiC- je specializované zařízení pro tepelné zpracování vytvořené pro výrobu polovodičů z karbidu křemíku. Používá se hlavně k růstu-kvalitních hradlových oxidových vrstev pro SiC MOSFETy, které podporují procesy, které vyžadují nízkou hustotu pastí na rozhraní a vysokou mobilitu kanálů. Kromě výroby tranzistorů SiC MOSFET zvládá také řadu dalších vysokoteplotních oxidačních procesů při výrobě polovodičů.
Výhody
1. Stabilní a rovnoměrné zpracování: Dvojitá-vakuově utěsněná struktura{2}}udržuje procesní prostředí konzistentní, zatímco stejnoměrnost teploty a průtoku plynu pomáhá zajistit kvalitu oxidů na plátcích.
2. Čisté prostředí zpracování: Vysoce čisté materiály tepelného pole snižují kontaminaci kovů a částic při vysokých teplotách, čímž podporují požadavky na čistotu pokročilých polovodičových procesů.
3. Flexibilní možnosti atmosféry: Podporuje nízkotlaké-ošetření, suchý kyslík, NO a další úpravy atmosféry, takže se přizpůsobí různým požadavkům na oxidační proces.
4. Vestavěná-schopnost čištění: Zahrnuje online funkci čištění iontů kovů, která pomáhá odstranit nečistoty z destiček a komory a zlepšuje celkovou čistotu procesu.
5. Široká procesní kompatibilita: Pracuje s 6-palcovými a 8palcovými wafery, s velikostí dávek 50 nebo 75 kusů a pracuje při 800 stupních až 1500 stupních, vhodný jak pro výzkum a vývoj, tak pro použití ve výrobním měřítku.
Aplikace
1. Primární použití: Růst hradlového oxidu při výrobě SiC MOSFET, který pomáhá dosáhnout nízké hustoty pastí na rozhraní a vysoké mobility kanálů pro lepší výkon zařízení.
2. Rozšířené použití: Další procesy vysokoteplotní oxidace a tepelného zpracování při výrobě polovodičů, jako je příprava oxidového filmu pro materiály se širokým pásmem- a žíhání plátků.
3. Využití ve výzkumu a vývoji: Vývoj a optimalizace procesů v laboratořích a výzkumných institucích pracujících na SiC a pokročilých polovodičových technologiích.
FAQ
Otázka: 1. Co je vysokoteplotní oxidační pec na SiC-?
Odpověď: Jedná se o profesionální zařízení pro tepelné zpracování pro výrobu polovodičů SiC, které se používá hlavně pro pěstování vysoce -kvalitního hradlového oxidu v SiC MOSFETech a dalších-procesech oxidace při vysokých teplotách.
Otázka: 2. Jaké velikosti waferů a kapacity dávek podporuje?
Odpověď: Podporuje 6palcové a 8palcové wafery s kapacitou dávek 50 kusů/šarže nebo 75 kusů/šarži, vhodné pro výzkum a vývoj a hromadnou výrobu.
Otázka: 3. Jaký je rozsah procesních teplot oxidační pece SiC?
Odpověď: Teplota procesu se pohybuje od 800 stupňů do 1500 stupňů, což splňuje požadavky na vysokoteplotní oxidaci SiC materiálů.
Q: 4. Jaké atmosféry a procesy zvládne?
Odpověď: Podporuje nízkotlaké-ošetření, suchý kyslík, NO a další ošetření atmosféry a má online funkci čištění kovovými ionty.
Otázka: 5. Jak zajišťuje čistotu a jednotnost procesu?
Odpověď: Využívá dvojitou-vrstvu vakuového těsnění a vysoce-čistotu materiálů tepelného pole, které zajišťují rovnoměrnost teploty/toku plynu a snižují kontaminaci kovy/částicemi.
Populární Tagy: sic vysokoteplotní oxidační pec, Čína sic vysokoteplotní oxidační pece, výrobci, dodavatelé
