Čištění destiček se týká procesu použití chemických nebo fyzikálních metod k odstranění kontaminantů a oxidů z povrchu destičky během výroby integrovaných obvodů, aby byly splněny požadavky na čistotu povrchu destičky. Principem čištění oplatky je odstranění různých nečistot bez poškození oplatky.
Existují čtyři hlavní mechanismy odstraňování částic: rozpouštění, oxidační rozklad, elektrické odpuzování mezi částicemi a povrchy křemíkových plátků a mírná koroze povrchů křemíkových plátků.
Pro odstranění kovových částic se obvykle používá roztok SC-2 nebo roztok HPM ke snížení obsahu kovu na povrchu destičky. Roztok SC-2 prochází krystalizací, která může po vyčištění zvýšit počet částic na povrchu destičky. Proto může být místo HCL použit HF nebo O3 kombinovaný s HF může být použit místo SC-2 roztoku pro účinné odstranění kovových částic.
U organických polutantů se k odstranění obvykle používá roztok SPM nebo technologie chemického čištění UV/ozonem.
Po mokrém čištění musí být oplatka důkladně vysušena, aby se zajistilo, že na povrchu nezůstanou žádné stopy vody před vstupem do dalšího procesu. Tři nejběžnější režimy sušení, které jsou v současné době k dispozici, jsou rotační sušení, sušení Marangoni a sušení rozprašováním za horka isopropanolem.
